铟锡氧化膜之制造方法

摘要

实现一种蚀刻率甚高且为低电阻之高透光率之ITO膜。在常温及添加水份之环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，于成膜后，实施180℃程度以上及一小时程度以上之热处理。添加水份环境系设为使成膜室内之水份总分压为8.2× 10-3帕程度以下，而在后续之退火过程发挥膜质改变效果，再且，藉由使成膜室内之水份总分压为3.20× 10-3帕以上，则可形成非晶质性之ITO膜，而于成膜后可迅速实行蚀刻处理者。成膜后(图案化后)之热处理系以180℃程度以上(例如220℃程度)之温度实施一小时程度以上(例如一小时程度至三小时程度)以作为其适当之条件，藉此，膜片将被多晶化，且可得到低电阻且高透光率之ITO膜。

主权项

1.一种铟锡氧化膜之制造方法,其特征在于:在常温 及添加水份之气体环境下形成铟锡氧化膜,于成膜 后,实施180℃程度以上及一小时程度以上之热处理 者。 2.如申请专利范围第1项之铟锡氧化膜之制造方法, 其中,前述热处理系以220℃程度之温度实施一小时 程度至三小时程度者。 3.如申请专利范围第1项之铟锡氧化膜之制造方法, 其中,前述在常温及添加水份之气体环境下形成之 铟锡氧化膜系非晶质状态,而前述热处理系将该铟 锡氧化膜多结晶化者。 4.如申请专利范围第1项之铟锡氧化膜之制造方法, 其中,前述铟锡氧化膜之成膜时之添加水份之气体 环境其成膜室内之水份总分压为8.2010-3帕程度以 下者。 5.如申请专利范围第4项之铟锡氧化膜之制造方法, 其中,前述铟锡氧化膜之成膜时之添加水份之气体 环境其成膜室内之水份总分压为110-3帕程度以上 者。 6.如申请专利范围第1项至第5项之任一项之铟锡氧 化膜之制造方法,其中,前述铟锡氧化膜于成膜后, 系于实施利用蚀刻之图案化步骤后实施前述热处 理者。 图式简单说明: 第1图为本实施型态有关之ITO膜之比电阻与退火时 间之关系之示意图。 第2图为本实施型态有关之ITO膜之薄膜电阻与退火 温度之关系之示意图。 第3图为本实施型态有关之ITO膜之透光率与退火时 间之关系之示意图。 第4图为本实施型态有关之ITO膜之薄膜电阻与成膜 气体环境之水份分压之关系之示意图。 第5图为利用本实施型态有关之ITO膜之液晶显示装 置之概略构成之示意图。 第6图为利用本实施型态有关之ITO膜之有机EL显示 装置之部份断面图。 第7图为利用本实施型态之ITO膜之有机EL显示装置 之一像素之等价电路图。