| 主权项 |
1.一种含贵金属之检测装置,至少包含: 一平面波导板,具有一上平面;以及 一贵金属奈米粒子层,分布于该平面波导板之该上 平面上。 2.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中更包含一上盖,用于盖合于该平面波导板 之上平面,并具有一凹槽,使该凹槽与该上平面形 成一空间。 3.如申请专利范围第2项所述之含贵金属之检测装 置,其中该上盖更具有至少二孔洞,使一待测物质 系藉由该些孔洞容置于该空间中。 4.如申请专利范围第3项所述之含贵金属之检测装 置,其中该些孔洞包含至少一出口及至少一入口。 5.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中该平面波导板系为一单模态平面波导板或 多模态平面波导板。 6.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中该贵金属奈米粒子层系为复数个金奈米粒 子所组成。 7.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中该贵金属奈米粒子层系为复数个银奈米粒 子所组成。 8.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中该贵金属奈米粒子层系为复数个白金奈米 粒子所组成。 9.如申请专利范围第1项所述之含贵金属之检测装 置,其中更包含一生物分子层,系分布于贵金属奈 米粒子层表面之上。 10.一种含贵金属之检测系统,至少包含: 一光源,提供一入射光; 一含贵金属奈米粒子之检测装置,由贵金属奈米粒 子形成于一平面波导板之表面电浆接触一待测物 质,且引入该入射光与表面电浆作用;以及 至少一光侦测器,用于侦测与表面电浆作用后所射 出之至少一出射光,以判读该待测物质。 11.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该光源系为一单频光、一窄频光或一白 光。 12.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该检测系统更包含一光学回路,用于对 该光源进行处理,产生一入射光以射入该含贵金属 奈米粒子之检测装置。 13.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该检测系统更包含一光耦合器,用于对 该光源进行处理,产生一入射光以射入该含贵金属 奈米粒子之检测装置。 14.如申请专利范围第12项所述之含贵金属之检测 系统,其中该光学回路系由至少一光学元件所组成 。 15.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该平面波导板系为一单模态平面波导板 或一多模态平面波导板。 16.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该含贵金属奈米粒子之检测装置之贵金 属奈米粒子系为复数个金奈米粒子。 17.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该含贵金属奈米粒子之检测装置之贵金 属奈米粒子系为复数个银奈米粒子。 18.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该含贵金属奈米粒子之检测装置之贵金 属奈米粒子系为复数个白金奈米粒子。 19.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该入射光包含有横向磁(transverse magnetic wave, TM)偏振性光波及横向电(transverse electric wave, TE)偏振性光波。 20.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该至少一出射光包含有横向磁(transverse magnetic wave, TM)偏振性光波及横向电(transverse electric wave, TE)偏振性光波。 21.如申请专利范围第10项所述之含贵金属之检测 系统,其中该含贵金属奈米粒子之检测装置更可包 含一生物分子层。 22.一种含贵金属之检测方法,至少包含: 藉由一光源系提供一入射光; 设置一含贵金属奈米粒子之检测装置并容置一待 测物质,由贵金属奈米粒子形成于一平面波导板之 表面电浆接触该待测物质,且引入该入射光与表面 电浆作用;以及 藉由至少一光侦测器,用于侦测与表面电浆作用后 所射出之至少一出射光,以判读该待测物质。 23.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供一单频光、一窄频光或一白 光作为该光源。 24.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供一光学回路,用于对该光源 进行处理,产生一入射光以射入该含贵金属奈米粒 子之检测装置。 25.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供一光耦合器,用于对该光源 进行处理,产生一入射光以射入该含贵金属奈米粒 子之检测装置。 26.如申请专利范围第24项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供至少一光学元件所组成该光 学回路。 27.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更提供一单模态平面波导板作为该平面 波导板。 28.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更提供一多模态平面波导板作为该平面 波导板。 29.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供复数个金奈米粒子作为该含 贵金属奈米粒子之检测装置之贵金属奈米粒子。 30.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供复数个银奈米粒子作为该含 贵金属奈米粒子之检测装置之贵金属奈米粒子。 31.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供复数个白金奈米粒子作为该 含贵金属奈米粒子之检测装置之贵金属奈米粒子 。 32.如申请专利范围第22项所述之含贵金属之检测 方法,其中更包含提供一生物分子层于该含贵金属 奈米粒子之检测装置内。 图式简单说明: 第一图系为习知利用表面电浆共振所制成之一检 测装置之示意图; 第二图系为习知利用表面电浆共振所制成之另一 检测装置之示意图; 第三图系为本发明之一实施例之含贵金属之检测 装置之剖面图; 第四图系为本发明之另一实施例之上盖之立体图; 第五图系为本发明之另一实施例之含贵金属之检 测装置之立体图; 第六A图系为本发明之一实施例之含贵金属之检测 系统之示意图; 第六B图系为本发明之另一实施例之含贵金属之检 测系统之示意图; 第六C图系为本发明之再一实施例之含贵金属之检 测系统之示意图; 第七图系为本发明之一实施例之含贵金属之检测 系统之检测示意图; 第八图系为本发明之一实施例之含贵金属之检测 方法之流程图;以及 第九图系为本发明之另一实施例之以一入射光入 含贵金属之检测方法之流程图。 |
