发明名称 利用电浆处理形成含氮化锗层之方法与系统
摘要 一种利用电浆处理形成经氮化之含锗层的方法与系统。本方法包含下列步骤:将含锗基板提供至处理室中;自包含N2与稀有气体之处理气体生成电浆,并选择该电浆之条件以有效地形成经电浆激发之N2物种且同时控制经电浆激发之N物种形成;及将该基板暴露至该电浆,以在该基板上形成经氮化之含锗层。亦提供一种方法,其包含将含锗介电层暴露至液态或气态H2O,以改变该层的厚度与化学组成。
申请公布号 TW200729336 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095140160 申请日期 2006.10.31
申请人 东京威力科创股份有限公司;史丹佛大学 LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY 美国 发明人 菅原卓也;保罗C 麦可因坦
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本