发明名称 |
利用电浆处理形成含氮化锗层之方法与系统 |
摘要 |
一种利用电浆处理形成经氮化之含锗层的方法与系统。本方法包含下列步骤:将含锗基板提供至处理室中;自包含N2与稀有气体之处理气体生成电浆,并选择该电浆之条件以有效地形成经电浆激发之N2物种且同时控制经电浆激发之N物种形成;及将该基板暴露至该电浆,以在该基板上形成经氮化之含锗层。亦提供一种方法,其包含将含锗介电层暴露至液态或气态H2O,以改变该层的厚度与化学组成。 |
申请公布号 |
TW200729336 |
申请公布日期 |
2007.08.01 |
申请号 |
TW095140160 |
申请日期 |
2006.10.31 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司;史丹佛大学 LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY 美国 |
发明人 |
菅原卓也;保罗C 麦可因坦 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
周良谋;周良吉 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |