| 发明名称 | 适于减小闭锁的CMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在第一方面中，提供了第一装置。第一装置是半导体器件，包括：(1)浅沟槽隔离(STI)氧化物区域；(2)第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，与STI氧化物区域的第一侧面连接；(3)第二MOSFET，与STI氧化物区域的第二侧面连接，其中部分第一和第二MOSFET形成连接成回路的第一和第二双极结晶体管(BJT)；以及(4)在STI氧化物区域下的掺杂剂注入区域，其中掺杂剂注入区域形成BJT回路的一部分并且适于减小回路的增益。还提供了许多其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN101009283A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200710008227.0 | 申请日期 | 2007.01.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·W·科布格尔三世;古川俊治;J·A·曼德尔曼 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种衬底上的半导体器件，包括：浅沟槽隔离(STI)氧化物区域；第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，与所述STI氧化物区域的第一侧面连接；第二MOSFET，与所述STI氧化物区域的第二侧面连接，其中部分所述第一和第二MOSFET形成连接成回路的第一和第二双极结晶体管(BJT)；以及掺杂剂注入区域，在所述STI氧化物区域下，其中所述掺杂剂注入区域形成BJT回路的一部分并且适于减小所述回路的增益。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||