| 发明名称 | 磁电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制造利用于磁电子器件中的覆层导体(42)的方法。该方法包括提供衬底(10)以及在衬底(10)上面形成导电阻挡层(12)。介电层(16)形成在导电阻挡层(12)上面，并且导电线(20)形成在一部分介电层(16)内。除去介电层(16)，并在导电线(20)上面形成磁通量集中器(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN1329976C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200380104188.4 | 申请日期 | 2003.11.14 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 马克·A·杜尔拉姆;杰弗里·H·贝克;布赖恩·R·布彻;马克·F·德赫尔雷拉;约翰·J·蒂′乌尔索;厄尔·D·富克斯;格雷戈里·W·格里恩凯维希;凯利·W·凯勒;杰伊纳尔·A·莫拉;J·杰克·任;尼古拉斯·D·里佐 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;钟强 |
| 主权项 | 1.一种用于制造利用于磁电子器件中的覆层导体的方法，该方法包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上面形成导电阻挡层；在所述导电阻挡层上面形成介电层；在所述介电层的一部分内形成导电线；除去所述介电层；以及在所述导电线上面形成磁通量集中器。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||