| 发明名称 | 复合基材的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种复合基材(4)的制造方法，所述复合基材包含插入至支持基材(1)和半导体材料的活性层(20)之间的至少一个薄的最终绝缘层(3)。所述方法的特征在于它包括以下步骤：在支持基材(1)上形成或沉积绝缘层(31)和在源基材(2)上形成或沉积绝缘层(32)；对所述绝缘层中的至少一个进行等离子体活化；通过分子结合将所述两个基材(1，2)经它们相应的绝缘层粘结；和将后部(21)从源基材(2)上剥离，从而仅保留所述活性层(20)；选择等离子体活化能的值和绝缘层(31，32)的各自厚度(e<SUB>1</SUB>，e<SUB>2</SUB>)以使活化的绝缘层仅在其上部被活化，所述最终绝缘层(3)的厚度为50纳米以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101009203A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200610156639.4 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;佛雷德里克·阿利贝尔 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.一种制造复合基材(4)的方法，所述复合基材包含插入至称为“支持基材”的第一半导体基材(1)和称为“活性层”的半导体材料层(20)之间的称为“最终层”的至少一个薄绝缘层(3)，所述方法的特征在于包括以下步骤：-在所述支持基材(1)上形成或沉积称为“第一层”的绝缘层(31)和在称为“源基材”的第二基材(2)上形成或沉积称为“第二层”的绝缘层(32)；-对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(32)中的至少一个进行等离子体活化；-通过分子结合使所述支持基材(1)与所述源基材(2)粘结在一起，以使所述第一和第二绝缘层(31，32)沿粘结界面(5)接触并共同形成所述最终绝缘层(3)；和-将所述源基材(2)的称为“后部”的部分(21)剥离，从而仅保留构成所述活性层(20)的材料厚度；选择所述等离子体活化能的值和所述第一及第二绝缘层(31，32)的各自厚度(e1，e2)以使活化的绝缘层(31，32)仅在从其自由表面(310，320)延伸的其上部被活化，并且所述最终绝缘层(3)的厚度为50纳米以下。 | ||
| 地址 | 法国克罗勒斯 | ||