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Die vorliegende Erfindung stellt eine Transistorzelle bereit, die folgendes umfaßt: einen ersten Transistor mit einem ersten Source-Drain-Gebiet, einem ersten Gate-Gebiet, einem zweiten Source-Drain-Gebiet und ersten Gate-Abstandshaltern neben dem ersten Gate-Gebiet, einen zweiten Transistor mit einem dritten Source-Drain-Gebiet, einem zweiten Gate-Gebiet, einem vierten Source-Drain-Gebiet und zweiten Gate-Abstandshaltern neben dem zweiten Gate-Gebiet, wobei das zweite Source-Drain-Gebiet und das dritte Source-Drain-Gebiet miteinander verbunden sind, eine erste Metalleitung über dem ersten Transistor, erste Metalleitungsabstandshalter neben der ersten Metalleitung, eine zweite Metalleitung über dem zweiten Transistor, zweite Metalleitungsabstandshalter neben der zweiten Metalleitung, wobei die ersten Metalleitungsabstandshalter und die ersten Gate-Abstandshalter sich vertikal zumindest teilweise überlappen, wobei die zweiten Metalleitungsabstandshalter und die zweiten Gate-Abstandshalter sich vertikal zumindest teilweise überlappen, wobei ein Kontaktgebiet über dem zweiten Source-Drain-Gebiet und/oder dem dritten Source-Drain-Gebiet durch einen jeweiligen benachbarten ersten Metalleitungsabstandshalter und zweiten Metalleitungsabstandshalter und durch einen jeweiligen benachbarten ersten Gate-Abstandshalter und zweiten Gate-Abstandshalter definiert wird, ein Kontaktdurchgangsloch, das sich vertikal von dem Kontaktgebiet zumindest zu der Schicht der ersten Metalleitung ...
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