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Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Grabens bereitgestellt, das eine obere Ecke ohne Hinzufügen einer separaten Maske oder eines separaten Prozesses abrunden kann. Erste und zweite Isolierschichten werden auf einem Substrat gestapelt, das einen Isolationsbereich und einen aktiven Bereich aufweist. Anschließend wird ein Fotolackmuster auf der zweiten Isolierschicht gebildet und die erste und zweite Isolierschicht werden unter Verwendung des Fotolackmusters als einer Maske strukturiert, um einen Abschnitt eines Substrats in dem Isolationsbereich freizulegen. Danach wird das Substrat unter Verwendung der ersten und zweiten Isolierschichten als eine Maske geätzt, um einen STI-Bereich derart zu bilden, dass eine obere Breite des STI-Bereichs größer als eine untere Breite des STI-Bereichs ist.
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