摘要 |
<p>Es wird ein Speicherelement für eine optische Signalausgabe mit einer optisch aktiven, kristallinen Halbleiterschicht (3) beschrieben, die tiefe Störstellen auf weist und mit einer nach einer Anregung Photonen emittierenden Substanz dotiert ist. Um eine elektrische Ansteuerung zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, daß die optisch aktive Halbleiterschicht (3) in einer Raumladungszone eines p-n-Übergangs liegt, der zum Auslesen eines optischen Signals in Rückwärtsrichtung über Elektrodenschichten (6, 7) mit einem elektrischen Feld beaufschlagbar ist.</p> |
申请人 |
UNIVERSITAET LINZ;KRYZHKOV, I., DENIS;JANTSCH, WOLFGANG;ANDREEV, A., BORIS;GREGORKIEWICZ, TOM;KRASIL'NIK, F., ZAKHARY;KUZNETSOV, V.P. |
发明人 |
KRYZHKOV, I., DENIS;JANTSCH, WOLFGANG;ANDREEV, A., BORIS;GREGORKIEWICZ, TOM;KRASIL'NIK, F., ZAKHARY;KUZNETSOV, V.P. |