Gehäusegruppe für Geräte hoher Leistungsdichte

摘要

Eine Halbleitergeräte-Gehäusebaugruppe ist aus DBC gebildet, in welcher verdünnte MOSgate- und/oder Diodenchips mit dem Boden einer geätzten Vertiefung in der oberen Leitschicht verlötet sind. Eine Durchkontaktierung in der Isolationsschicht des DBCs ist mit einem leitfähigen Werkstoff gefüllt, um einen ohmschen Nebenschlusswiderstand zu bilden. Mehrere Gehäusebaugruppen können in einer DBC-Platine gebildet sein und einzeln oder in Häufungen getrennt werden. Die einzelnen Gehäusebaugruppen sind in verschiedenen Anordnungen auf einer Träger-DBC-Platine und einer Wärmesenke angebracht. Integrierte Schaltungen können auf der Baugruppe angebracht und mit dem Chip zur Steuerung der Chipleitung verbunden sein.