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<p>Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (74; 140), insbesondere einer Solarzelle (140), mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen (70, 72; 120, 122) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (2; 14) einer die Diffusion eines Dotierstoffes hemmenden und für einen Dotierstoff durchdringbaren Schicht (58; 108) auf zumindest einem Teil (56; 106) der Oberfläche eines Halbleiterbauelementmaterials (50; 100), des wenigstens teilweises Entfernens (4;16a, 16b) der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) in wenigstens einem Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b), des Ausbildens (6; 18) einer Dotierstoff quelle (66; 116) auf der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) und in dem wenigstens einen Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b) und der Diffusion (8; 20) des Dotierstoffes aus der Dotierstoff quelle (66; 116) in das Halbleiterbauelementmaterial (50; 100) sowie dessen Ver wendung in integrierten Schaltungen, elektronischen Schaltungen, Solarzellenmodulen und zur Herstellung von Solarzellen (140) mit selektiver Emitterstruktur.</p> |
