发明名称 |
一种复合型的场效应晶体管结构 |
摘要 |
本发明揭示了一种复合型的场效应晶体管结构,它包括:横向双扩散N型金属氧化物场效应管(NLDMOS)和N型结型场效应管(NJFET)。本发明也揭示了一种复合型场效应管的制造方法,它包含:将N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏区,并且将所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极。采用本发明的所述结构和制造方法,可有效降低芯片面积,不仅能提供NLDMOS的栅极初始电压,还可有效关断NLDMOS,从而极大地降低功耗。 |
申请公布号 |
CN101005071A |
申请公布日期 |
2007.07.25 |
申请号 |
CN200610149078.5 |
申请日期 |
2006.11.24 |
申请人 |
杭州士兰微电子股份有限公司 |
发明人 |
姚云龙;吴建兴;张邵华 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
李家麟;王勇 |
主权项 |
1.一种场效应晶体管结构,其特征在于,它包含:横向双扩散金属氧化物场效应管(LDMOS)和结型场效应管(JFET),所述的LDMOS和所述的JFET均有各自的源区和栅区,并且所述的LDMOS和所述的JFET共用相同的漏区。 |
地址 |
310012浙江省杭州市黄姑山路4号 |