非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器，由基底、多个主体层、多个控制栅极、多个浮置栅极与多个掺杂区所构成。基底表面具有一层绝缘层。主体层设置于基底上，主体层呈条状平行排列并往第一方向延伸。控制栅极设置于基底上，控制栅极呈条状平行排列，并往第二方向延伸，其中，第二方向与第一方向交错，且控制栅极填满主体层于第二方向上的间隙。浮置栅极设置于控制栅极与主体层之间。掺杂区则设置于控制栅极之间的主体层中。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：基底，该基底表面设置有绝缘层；多个主体层，设置于该基底上，该些主体层平行排列，并往第一方向延伸；多个控制栅极，设置于该基底上，该些控制栅极平行排列，并往第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错，且该些控制栅极填满该些主体层于该第二方向上的间隙；多个浮置栅极，设置于该些控制栅极与该些主体层之间；以及多个掺杂区，设置于该些控制栅极之间的该些主体层中。