发明名称 |
制造半导体结构的方法 |
摘要 |
公开了一种制造半导体结构的方法,其中该方法包括在半导体层上形成层间介电层(ILD),在ILD上形成导电的镀敷增强层(PEL),图形化ILD和PEL,将籽层沉积到由ILD和PEL形成的图形中,之后在籽层上镀敷铜。PEL用于降低横跨晶片的电阻,以利于镀敷铜。PEL优选是光学透明和导电的层。 |
申请公布号 |
CN101005043A |
申请公布日期 |
2007.07.25 |
申请号 |
CN200710002383.6 |
申请日期 |
2007.01.15 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
肖姆·波诺斯;约翰·安东尼·菲茨西蒙斯;史蒂文·夏伊格-聪;特里·A.·斯普纳 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种制造半导体结构的方法,该方法包括以下步骤:获得半导体晶片;在半导体层上形成层间介电层;在层间介电层上形成导电的镀敷增强层;图形化层间介电层和镀敷增强层;将籽层沉积到由层间介电层和镀敷增强层形成的图形中;和在籽层上镀敷铜。 |
地址 |
美国纽约 |