| 发明名称 | 表面声波元件的制造方法、表面声波元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60)，该表面声波元件(10)的制造方法包括：在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21～23)的工序；在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序；对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序；在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序；在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序，该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高，而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。 | ||
| 申请公布号 | CN101005274A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710004286.0 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 矢岛有继;樋口天光;槽谷良和 |
| 分类号 | H03H3/08(2006.01);H03H9/145(2006.01);H03H9/25(2006.01) | 主分类号 | H03H3/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种表面声波元件的制造方法，该表面声波元件在半导体基板的表面形成梳齿状的IDT电极，其特征在于，该表面声波元件的制造方法包括：在所述半导体基板的有源面侧的表面上形成绝缘层的工序；在所述绝缘层的整个表面上形成基台层的工序；对所述基台层的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的所述基台层的表面上形成压电体的工序；在所述压电体的表面上形成所述IDT电极的工序；在所述基台层的表面周缘部形成堤的工序，该堤比从所述基台层的表面到所述IDT电极的表面的高度还高，而且包围所述压电体。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||