| 发明名称 | 一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101005059A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710071667.0 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 哈尔滨工程大学 | 发明人 | 王颖;赵春晖;曹菲 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 刘娅 |
| 主权项 | 1、一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构，它包括基片，其特征在于它还包括在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼 | ||