| 发明名称 | 形成半导体薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101005017A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710002314.5 | 申请日期 | 2007.01.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 孙龙勋;姜声官;李钟昱 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L23/00(2006.01);C30B1/00(2006.01);C30B29/06(2006.01);C30B29/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||