| 发明名称 | 形成具有替代金属栅电极的集成电路 | ||
| 摘要 | 在金属栅替代工艺中，可形成至少两个多晶硅层或其它材料的叠层。可在该叠层上形成侧壁隔片。然后可将叠层平坦化。接着，可选择性地去除该叠层的上层。然后，可选择性地去除侧壁隔片的暴露部分。最后，可去除叠层的下部以形成可用金属替代填充的T形沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101006579A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580028560.7 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·卡瓦利罗斯;J·布拉斯克;M·多齐;M·梅茨;S·达塔;U·肖;R·乔 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：形成锥形沟槽；以及用金属填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||