发明名称 |
一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统 |
摘要 |
本发明涉及一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,该系统为在传统PLD设备的基片加热器后方加一套强电场装置,该强电场装置有两个金属板电极,分别放置于两“凹”形陶瓷块的凹槽中,两陶瓷块垂直放置于一陶瓷固定片,并且互相平行固定在陶瓷固定片上;陶瓷块的凹槽一侧打一导线通孔,套有陶瓷管的导线从金属板电极上穿出导线通孔,与一个电阻和变压器电源相连,组成整个电路系统。该装置结构简单。利用本发明装置生长出的薄膜能显著改变微结构,进一步改变薄膜的性能。为制备研究新型特殊结构的薄膜样品提供了有效的实验装置。 |
申请公布号 |
CN101003891A |
申请公布日期 |
2007.07.25 |
申请号 |
CN200610001809.1 |
申请日期 |
2006.01.20 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
宁廷银;周岳亮;赵嵩卿;王淑芳;韩鹏;程波林;金奎娟;吕惠宾;陈正豪;何萌;刘知韵;杨国桢 |
分类号 |
C23C14/28(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/28(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高存秀 |
主权项 |
1.一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,包括真空室(14),由机械泵、分子泵和管路组成的真空机组(5);放置在真空室(14)外的高压气瓶(9),通过真空室壁上的针阀与真空室(14)连通组成充气系统;真空室(14)中安装基片加热器(10)和靶组件(13);由控制电源与基片加热器(10)连接组成加热控温部分;其特征在于:所述的基片加热器(10)后方设置一外加强电场装置(11),该外加强电场装置(11)由两块呈“凹”形且四个下角均设有螺孔的陶瓷块(15)、两个金属板电极(17)、一个陶瓷固定片(16)和一根金属杆(20)组成;其中所述的两个金属板电极(17),分别放置于所述的“凹”形陶瓷块(15)的凹槽中,两块陶瓷块(15)垂直于陶瓷固定片(16),并且互相平行固定在陶瓷固定片(16)上;陶瓷块(15)的凹槽一侧打一导线通孔,套有陶瓷管的导线(19)从金属板电极(17)上穿出导线通孔,与一个电阻和变压器电源相连;准分子脉冲激光器(1)放置在真空室(14)外,其产生的脉冲激光经过聚焦透镜聚焦后,经光束扫描镜(3)反射,通过真空室(14)的石英玻璃窗口(4)照射到靶材上。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |