发明名称 经涂敷之薄膜
摘要 本发明系提供一种具有涂布层于单面之聚酯薄膜者,涂布层表面之表面固有电阻为1×1013Ω以下,于180℃下热处理该薄膜30分钟后,该涂布层表面之聚酯低聚物量为进行该相同热处理前聚酯低聚物量之8倍以下经涂敷之薄膜者。该经涂敷之薄膜具有防止静电性能、防止附着灰尘及减少光学性缺陷者。
申请公布号 TWI284137 申请公布日期 2007.07.21
申请号 TW092103012 申请日期 2003.02.13
申请人 三菱化学聚酯薄膜股份有限公司 发明人 神田俊宏;藤田真人
分类号 C08J5/18(2006.01) 主分类号 C08J5/18(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种经涂敷之薄膜,其特征系于单面具有涂布层 之聚酯薄膜者,涂布层表面之表面固有电阻为11013 以下,该薄膜于180℃下进行30分钟热处理后,该涂 布层表面之聚酯低聚物量为进行相同热处理前聚 酯低聚物量之8倍以下者。 2.如申请专利范围第1项之经涂敷之薄膜,其中该薄 膜于180℃下热处理30分钟后之涂布层表面聚酯低 聚物量为3.0mg/m2以下者。 3.如申请专利范围第1项或第2项之经涂敷之薄膜, 其中该涂布层为含有具季铵盐基之化合物者。 4.如申请专利范围第3项之经涂敷之薄膜,其中该具 有季胺盐基之化合物为高分子化合物者。 5.如申请专利范围第1项之经涂敷之薄膜,其中该涂 布层为含有聚乙烯醇者。 6.如申请专利范围第1项之经涂敷之薄膜,其中该涂 布层于薄膜上涂布水性涂布液之后,进行乾燥及延 伸后所成者。 7.如申请专利范围第3项之经涂敷之薄膜,其中该具 有季胺盐基之化合物于涂布层构成成份所占比例 为10~99重量%之范围者。
地址 日本