| 主权项 |
1.一种预测旋转机器寿命的装置,其包含: 一制程条件 处方输入模组,配置以依据由一控制负载条件之制 程控制器所提供之复数个制程处方中之一目标制 程处方,取得一旋转机器的负载条件,该制程处方 包含多种气体; 一特性化特征输入模组,配置以得到该旋转机器的 特性化特征资料;及 一寿命预期预测模组,配置以计算该旋转机器的寿 命预期,以符合对应于该目标制程处方之一决定基 准及该特性化特征资料,该决定基准系藉由参考该 旋转机器的失效资料来决定。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该负载条件系 由一处理室的制程条件所定义,其中引入气体,并 执行一半导体制造处理,而该旋转机器为一真空泵 。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该决定基准系 被更新以符合该特性化特征资料之一改变。 4.如申请专利范围第2项之装置,其中该制程条件包 含该气体的种类及该气体的流速。 5.如申请专利范围第2项之装置,其中该特性化特征 资料包含该真空泵的电压、电流、功率、温度、 振动及声音。 6.如申请专利范围第2项之装置,其中该寿命预期的 计算使用该特性化特征资料的时间序列资料。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该寿命预期的 计算系使用平均値、标准差、自动关联系数、一 自动关联系数的迟滞宽度、及在该特性化特征资 料的时间序列资料中一有限时段的一Mahalanobis- Taguchi距离的统计分析値中之任何一个。 8.如申请专利范围第6项之装置,其中该寿命预期计 算系由该统计分析値的变化速率、一简单回归或 多重回归分析来得到。 9.如申请专利范围第2项之装置,其中该计算的寿命 预期被输入到一局部区域网路。 10.如申请专利范围第2项之装置,其中基于该计算 的寿命预期,即提供该制程的一紧急中断信号。 11.一种半导体制造设备,其包含: 一制程控制器,配置以基于复数个制程处方中之一 目标制程处方来控制一制造程序,该制程处方包含 多种气体; 一旋转机器,配置以处理该制造程序的负载;及 一寿命预期预测控制器,配置以计算该旋转机器的 寿命预期,其可符合对应于由该制程控制器所得到 的目标制程处方之一决定基准,及由该旋转机器所 得到的特性化特征资料,该决定基准系藉由参考该 旋转机器的失效资料来决定。 12.如申请专利范围第11项之半导体制造设备,其中 该决定基准系被更新以符合该特性化特征资料之 一改变。 13.如申请专利范围第11项之半导体制造设备,其中 该制程处方定义一处理室的制程条件,其中引入气 体,并执行一半导体制造程序,而该旋转机器为一 真空泵。 14.如申请专利范围第11项之半导体制造设备,其中 该寿命预期预测控制器系提供复数个制程处方。 15.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 该制程条件包含该气体的种类及该气体的流速。 16.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 该特性化特征资料包含该真空泵的电压、电流、 功率、温度、振动、及声音之一。 17.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 该寿命预期的计算使用该特性化特征资料的时间 序列资料。 18.如申请专利范围第17项之半导体制造设备,其中 该寿命预期的该计算系使用平均値、标准差、自 动关联系数、一自动关联系数的迟滞宽度、及在 该特性化特征资料的时间序列资料中一有限时段 的一Mahalanobis-Taguchi距离的统计分析値中之任何一 个。 19.如申请专利范围第17项之半导体制造设备,其中 该寿命预期计算系由该统计分析値的变化速率、 一简单回归或多重回归分析来得到。 20.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 该计算的寿命预期被输入到一局部区域网路。 21.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 基于该计算的寿命预期,即提供该制程的一紧急中 断信号。 22.如申请专利范围第13项之半导体制造设备,其中 该制程控制器及该寿命预期预测控制器系安装在 一相同的外壳中。 23.一种预测旋转机器寿命的方法,其包含: 读入一旋转机器的负载条件的一负载处方; 藉由比较该负载处方与一既存的该制程的负载处 方来决定该负载条件是否存在有改变; 如果该负载条件并无改变,即使用一既存的决定基 准,而如果该负载条件已经改变,则读入并使用包 含该制程条件的一决定基准,而非该既存的决定基 准; 藉由读入该旋转机器的侦测特性化特征资料来处 理时间序列资料,其系对应于该决定基准;及 计算符合于该时间序列资料及该决定基准的该旋 转机器的寿命预期。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中该负载条件 系由一处理室的制程条件所定义,其中引入气体, 并执行一半导体制造程序,而该旋转机器为一真空 泵。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中另一个具有 与该半导体制造程序为不同目的之半导体制造程 序在该处理室中进一步地执行。 26.如申请专利范围第24项之方法,其中该制程条件 包含该气体的种类及该气体的流速。 27.如申请专利范围第24项之方法,其中该特性化特 征资料包含该真空泵的电压、电流、功率、温度 、振动及声音之一。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中该寿命预期 的计算使用该特性化特征资料的时间序列资料。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该寿命预期 的计算系使用平均値、标准差、自动关联系数、 一自动关联系数的迟滞宽度、及在该特性化特征 资料的时间序列资料中一有限时段的一Mahalanobis- Taguchi距离的统计分析値中之任何一个。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中该寿命预期 的计算系由该统计分析値的变化速率,一简单回归 或多重回归分析来得到。 31.如申请专利范围第24项之方法,其中该计算的寿 命预期被输入到一局部区域网路。 32.如申请专利范围第24项之方法,其中基于该计算 的寿命预期,即提供该制程的一紧急中断信号。 33.一种决定旋转机器维修时间的方法,其包含: 读取一旋转机器的负载条件的一负载处方; 藉由比较该负载处方与一既存的该制程的负载处 方来决定该负载条件是否存在有改变; 如果该负载条件并无改变,即使用一既存的决定基 准,如果该负载条件已经改变,则读入并使用包含 该制程条件的一决定基准,而非该既存的决定基准 ; 藉由读入该旋转机器的侦测特性化特征资料来处 理时间序列资料,其系对应于该决定基准; 计算符合于该时间序列资料及该决定基准的该旋 转机器的寿命预期; 藉由一半导体制造模拟器来找出在一时段中该制 程的待机时间,直到达到该计算的寿命预期;及 决定该找出的待机时间中,为最少影响该制程的一 待机时间,或一包含该待机时间的时间来成为该旋 转机器的更换或维修时间。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中该负载条件 系由一处理室的制程条件所定义,其中引入气体, 并执行一半导体制造程序,而该旋转机器为一真空 泵。 35.如申请专利范围第34项之方法,其中另一个具有 与该半导体制造程序为不同目的之半导体制造程 序在该处理室中进一步地执行。 36.如申请专利范围第34项之方法,其中该制程条件 包含该气体的种类及该气体的流速。 37.如申请专利范围第34项之方法,其中该特性化特 征资料包含该真空泵的电压、电流、功率、温度 、振动及声音之一。 38.如申请专利范围第34项之方法,其中该寿命预期 的计算系使用该特性化特征资料的时间序列资料 。 39.如申请专利范围第38项之方法,其中该寿命预期 的计算系使用平均値、标准差、自动关联系数、 一自动关联系数的迟滞宽度、及在该特性化特征 资料的时间序列资料中一有限时段的一Mahalanobis- Taguchi距离的统计分析値中之任何一个。 40.如申请专利范围第38项之方法,其中该寿命预期 的计算系由该统计分析値的变化速率、一简单回 归或多重回归分析来得到。 图式简单说明: 图1所示为根据本发明该第一具体实施例的一半导 体制造设备之结构的架构方块图; 图2所示为根据本发明该第一具体实施例之每个包 含预测寿命预期之装置之控制器的一区块的结构 之架构方块图; 图3所示为根据本发明该第一具体实施例,在制程 运作期间一乾式泵的随时间改变电流之一个范例; 图4所示为根据本发明该第一具体实施例,在制程 运作期间一乾式泵的随时间改变电流之另一个范 例; 图5所示为根据本发明该第一具体实施例中,预测 乾式泵寿命预期的方法之流程图; 图6所示为根据本发明该第一具体实施例之修正的 范例来预测寿命预期之装置的结构之方块图; 图7所示为根据本发明该第二具体实施例之乾式泵 直到失效的随时间改变电流之范例; 图8所示为图6所示之随时间改变电流之自动协方 差分析; 图9所示为根据本发明该第三具体实施例之预测乾 式泵寿命预期之方法的流程图; 图10所示为根据本发明该第四具体实施例之预测 乾式泵寿命预期之方法的流程图; 图11所示为根据本发明该第五具体实施例之决定 乾式泵维修时间方法的一半导体制造系统之结构 化范例之方块图;及 图12所示为根据本发明该第五具体实施例之决定 乾式泵维修时间方法的流程图。 |
