| 主权项 |
1.一种雷射修补方法,该雷射修补方法包括: 提供一液晶显示面板,该液晶显示面板包括一主动 元件阵列基板、一对向基板以及一配置于该主动 元件阵列基板与该对向基板之间的液晶层,其中该 主动元件阵列基板包含多数个扫描配线、多数个 资料配线以及多数个画素单元,每一该些画素单元 包括一薄膜电晶体、一画素电极、一储存电容与 一共用配线; 提供一雷射光束;以及 令该雷射光束经过该对向基板与该液晶层而照射 于该主动元件阵列基板上,使该些薄膜电晶体其中 之一或该些储存电容其中之一失效。 2.如申请专利范围第1项所述之雷射修补方法,其中 该雷射光束之功率系介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳 之间。 3.如申请专利范围第1项所述之雷射修补方法,其中 该储存电容系由该画素电极与该扫描配线耦合而 成。 4.如申请专利范围第3项所述之雷射修补方法,其中 该液晶显示面板为一常态白画面模式(NW mode)液晶 显示面板,而该雷射光束系熔接该些薄膜电晶体之 一汲极或一源极与该些薄膜电晶体之一闸极。 5.如申请专利范围第1项所述之雷射修补方法,其中 该储存电容系由该画素电极与该共用配线耦合而 成。 6.如申请专利范围第5项所述之雷射修补方法,其中 该液晶显示面板为一常态黑画面模式(NB mode)液晶 显示面板,而该雷射光束系熔接该画素电极与该共 用配线。 7.一种雷射修补方法,该雷射修补方法包括: 提供一液晶显示模组,该液晶显示模组包括一液晶 显示面板与一位于该液晶面板下方之背光源,且该 液晶显示面板包括一主动元件阵列基板、一对向 基板以及一配置于该主动元件阵列基板与该对向 基板之间的液晶层,其中该主动元件阵列基板包含 多数个扫描配线、多数个资料配线以及多数个画 素单元,每一该些画素单元包括一薄膜电晶体、一 画素电极、一储存电容与一共用配线; 提供一雷射光束;以及 令该雷射光束经过该对向基板与该液晶层而照射 于该主动元件阵列基板上,使该些薄膜电晶体其中 之一或该些储存电容其中之一失效。 8.如申请专利范围第7项所述之雷射修补方法,其中 该雷射光束之功率系介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳 之间。 9.如申请专利范围第7项所述之雷射修补方法,其中 该储存电容系由该画素电极与该扫描配线耦合而 成。 10.如申请专利范围第9项所述之雷射修补方法,其 中该液晶显示面板为一常态白画面模式(NW mode)液 晶显示面板,而该雷射光束系熔接该些薄膜电晶体 之一汲极或一源极与该些薄膜电晶体之一闸极。 11.如申请专利范围第7项所述之雷射修补方法,其 中该储存电容系由该画素电极与该共用配线耦合 而成。 12.如申请专利范围第11项所述之雷射修补方法,其 中该液晶显示面板为一常态黑画面模式(NB mode)液 晶显示面板,而该雷射光束系熔接该画素电极与该 共用配线。 13.一种液晶显示面板,包括: 一主动元件阵列基板,该主动元件阵列基板包括多 数个扫描配线、多数个资料配线、一共用配线以 及多数个画素单元,每一该些画素单元包括一薄膜 电晶体、一画素电极与一储存电容,其中该些画素 单元中至少包括一已修补画素单元; 一对向基板,配置于该主动元件阵列基板上方,其 中该对向基板具有一修补孔,位于该已修补画素单 元上方;以及 一液晶层,配置于该主动元件阵列基板与该对向基 板之间。 其中,系使用一雷射光束使得该已修补画素单元中 之该薄膜电晶体或该储存电容其中之一失效。 14.如申请专利范围第13项所述之液晶显示面板,其 中该画素电极与该扫描配线耦合成一储存电容。 15.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,其 中该修补孔系位于该已修补画素单元中之该薄膜 电晶体上方。 16.如申请专利范围第13项所述之液晶显示面板,其 中该共用配线与该画素电极耦合成一储存电容。 17.如申请专利范围第16项所述之液晶显示面板,其 中该修补孔系位于该已修补画素单元中之该共用 配线上方。 18.一种雷射修补方法,该雷射修补方法包括: 提供一液晶显示面板,该液晶显示面板包括一主动 元件阵列基板、一对向基板以及一配置于该主动 元件阵列基板与该对向基板之间的液晶层,其中该 主动元件阵列基板包含多数个扫描配线、多数个 资料配线以及多数个画素单元,每一该些画素单元 系包含一第一电极与一第二电极; 提供一雷射光束;以及 令该雷射光束经过该对向基板与该液晶层而照射 于该主动元件阵列基板上,熔接该第一电极与该第 二电极。 19.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中该雷射光束之功率系介于0.65毫焦耳至1.05毫焦 耳之间。 20.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中每一该些画素单元包括一薄膜电晶体、一画素 电极、一储存电容与一共用配线。 21.如申请专利范围第20项所述之雷射修补方法,其 中该储存电容系由该画素电极与该扫描配线耦合 而成。 22.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中该储存电容系由画素电极与该共用配线耦合而 成。 23.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中每一该些画素单元包括一薄膜电晶体,且该第一 电极为该薄膜电晶体之闸极,该第二电极为该薄膜 电晶体之汲极。 24.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中每一该些画素单元包括一薄膜电晶体,且该第一 电极为该薄膜电晶体之闸极,该第二电极为该薄膜 电晶体之源极。 25.如申请专利范围第18项所述之雷射修补方法,其 中该第一电极为画素电极,该第二电极为扫描配线 电极。 图式简单说明: 图1绘示为依照本发明一较佳实施例雷射修补方法 之流程图。 图2绘示为本发明较佳实施例中液晶显示模组之结 构示意图。 图3A绘示为本发明中一较佳实施例之液晶显示面 板剖面示意图。 图3B绘示为本发明中另一较佳实施例之液晶显示 面板剖面示意图。 图4A绘示为依照本发明一较佳实施例之薄膜电晶 体阵列基板之上视示意图。 图4B绘示为依照本发明另一较佳实施例之薄膜电 晶体阵列基板之上视示意图。 图5A绘示为依照本发明较佳实施例中常态白画面 模式液晶显示面板之薄膜电晶体阵列基板雷射熔 接剖面示意图。 图5B绘示为依照本发明较佳实施例中常态黑画面 模式液晶显示面板之薄膜电晶体阵列基板雷射熔 接剖面示意图。 |
