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发明名称
真空产生印记之系统及方法
摘要
本发明提供一种其藉由产生实质的真空于印记区域中以产生压力差于印记室内而印记图案于可受压之材料上之系统。此系统可用于产生导电迹线于基板中,基板上可安装有积体电路晶片以及晶圆以产生半导体封装件。低压力线自容器之材料容纳区域将空气排出,进而于容器中产生横跨活塞之压力差,得使活塞将微工具压进可受压之材料层内。此低压力线帮助微工具顺应被印记之材料中的任何厚度变化并防止于微工具以及被印记的材料之间产生气袋。
申请公布号
TW200727375
申请公布日期
2007.07.16
申请号
TW095103937
申请日期
2006.02.06
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
陶德 毕格斯;杰夫 温瑞奇
分类号
H01L21/58(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L21/58(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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