| 主权项 |
1.一种具有渐细波导光侦测器之装置,其包括: 一具有一渐细区段的光波导;以及 一具有一本质区的光侦测器,该光侦测器系被排列 在该渐细区段旁边,因而该本质区可经由侧边消散 耦合被光学耦合至该光波导。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该渐细区段包 括一水平的渐细形状。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该本质区会对 应该渐细区段之水平渐细形状而渐渐缩小。 4.如申请专利范围第2项之装置,其中该渐细区段包 括一垂直的渐细形状。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该渐细区段包 括一垂直的渐细形状。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该渐细区段具 有一第一长度,而且其中该本质区具有实质上等于 该第一长度的第二长度。 7.一种具有渐细波导光侦测器之装置,其包括: 一光侦测器,其具有位于两侧的p型电极与n型电极, 两者间以本质区隔离;以及 一光波导,其具有一纤核与一渐细区段,其中该渐 细区段系被排列在该本质区旁边,因此纤核与本质 区会进行消散耦合。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中该渐细区段包 括水平渐细形状与垂直渐细形状中至少其中一者 。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中该渐细区段包 括一水平的渐细形状,而且该本质区会渐渐缩小。 10.如申请专利范围第9项之装置,其中该等p型电极 与n型电极会渐渐缩小,以容纳该渐细的本质区。 11.一种具有渐细波导光侦测器之系统,其包括: 一光侦测器装置,其具有一含渐细区段的光波导, 该光波导支援可光波,以及一含有本质区的光侦测 器,其中该本质区系被排列在该渐细区段的旁边, 并且与其产生侧边消散耦合,该光侦测器能够响应 从该光波被消散耦合至该本质区的光而产生一电 信号; 一第一元件,其能够产生该光波且被耦合至该光波 导的输入端;以及 一第二元件,其系被电耦合至该光侦测器且能够接 收与处理该电信号。 12.如申请专利范围第11项之系统,其中该渐细区段 包括水平渐细形状与垂直渐细形状中至少其中一 者。 13.如申请专利范围第12项之系统,其中该渐细区段 包括一水平的渐细形状,而且其中该本质区会渐渐 缩小。 14.如申请专利范围第12项之系统,其中该本质区包 括矽。 15.如申请专利范围第12项之系统,其中该本质区包 括锗。 16.一种使用渐细波导光侦测器之方法,其包括: 于具有一渐细区段的波导中导引一光波;以及 将该光波侧边消散耦合至位于该渐细区段旁边的 光侦测器的本质区中。 17.如申请专利范围第16项之方法,进一步包括利用 被光耦合至该波导之输入端的第一元件来产生该 光波。 18.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括利用 该光侦测器来产生一电信号。 19.如申请专利范围第18项之方法,进一步包括利用 被电耦合至该光侦测器的第二元件来接收且处理 该电信号。 20.如申请专利范围第16项之方法,进一步包括利用 水平渐细形状与垂直渐细形状中至少其中一者来 提供该渐细区段。 21.一种使用渐细波导光侦测器之方法,其包括: 于具有一渐细区段的光波导中来传导一光波;以及 藉由将源自该渐细区段的光消散耦合至该光侦测 器的本质区中来侦测位于该渐细区段旁边之光侦 测器中的光波。 22.如申请专利范围第21项之方法,进一步包括形成 该渐细区段,使其具有一水平的渐细形状。 23.如申请专利范围第21项之方法,进一步包括形成 该渐细区段,使其具有一垂直的渐细形状。 24.如申请专利范围第21项之方法,进一步包括形成 该渐细区段,使其同时具有一垂直的与一水平的渐 细形状。 25.如申请专利范围第21项之方法,进一步包括: 响应侦测该光波来产生一电信号;以及 利用电耦合至该光侦测器的元件来处理该电信号 。 图式简单说明: 图1所示的系本发明之光侦测器装置之实施例的平 面图,其中该光波导的渐细区段具有一水平的渐细 形状; 图2所示的系图1之光侦测器装置的剖面图; 图3所示的系与图1之光侦测器装置雷同的光侦测 器装置之剖面图,不过该光波导渐细区段具有一垂 直的渐细部分; 图4所示的系一立体端末图,其系与图1所示之实施 例类似的光侦测器,不过该光波导渐细区段具有一 垂直的与水平的(也就是,「双向」)渐细部分; 图5所示的系图1之光侦测器装置的端末图; 图6所示的系具有渐细本质区之PIN光侦测器之示范 实施例的放大平面图; 图7A所示的系一图表,其根据模拟被耦合至PIN侦测 器之本质区中的光的时间平均强度I(任意单位),与 相对于与图1之光侦测器装置类似但不具渐细波导 区段的光侦测器装置之本质区的距离D(微米)的关 系; 图7B所示的系与图7A类似的图表,不过,该光侦测器 装置包括一水平的渐细区段;以及 图8为采用本发明之光侦测器装置之实施例中任一 者的电光系统实施例之概略图。 |
