| 发明名称 | 氧化物烧结体 | ||
| 摘要 | 一种氧化物烧结体，主要由In组成并含有W，其电阻率不超过1KΩcm。W含量优选W/In原子比至少0.001，不超过0.17。该氧化物烧结体主要包含具有方铁锰矿结构的、其中固溶有W的氧化铟晶相和/或钨酸铟化合物晶相，并且不含氧化钨晶相。因此，该氧化物烧结体用作溅射靶可以生产具有低电阻和对红外光具有高透射率的氧化物基透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1326154C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN03147688.0 | 申请日期 | 2003.05.20 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 阿部能之 |
| 分类号 | H01B1/08(2006.01);H01L31/00(2006.01);G02F1/1343(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | H01B1/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种用作溅射靶或离子喷镀片的氧化物烧结体，主要由铟组成并含有钨，其电阻率最大为1KΩcm，其中该氧化物烧结体主要包含方铁锰矿结构的、其中固溶有钨的氧化铟晶相，和/或钨酸铟化合物晶相，并且其中不含氧化钨晶相。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||