光栅对准方法

摘要

一半导体芯片表面包含至少一前层芯片对准记号。首先进行一基线测试，以将一当层光栅上之一当层光栅对准记号与该前层芯片对准记号相对准。接着撷取并比对该当层光栅对准记号与该前层芯片对准记号之图像信号，以校正该当层光栅与该半导体芯片之相对坐标。最后进行一微影制程，将该当层光栅上之该当层光栅对准记号之图形转移至该半导体芯片上，以于该半导体芯片上形成一相对应于该当层光栅对准记号之当层芯片对准记号。

主权项

1.一种光栅对准方法，该光栅对准方法是使用于一半导体芯片上，该半导体芯片表面包含有一主要图案区域与一次要图案区域，该次要图案区域上包含至少一前层芯片对准记号，该前层芯片对准记号是由将一前层光栅上的一前层光栅对准记号转移至该半导体芯片上而形成，该光栅对准方法包含有下列步骤：提供一当层光栅，该当层光栅至少包含有一当层光栅对准记号与一电路图形；进行一基线测试，以将该当层光栅对准记号与该前层芯片对准记号相对准；撷取并比对该当层光栅对准记号的图像信号与该半导体芯片上相对应的该前层芯片对准记号的图像信号，以校正该当层光栅与该半导体芯片的相对坐标；以及进行一微影制程，将该当层光栅上的该电路图形以及该当层光栅对准记号的图形转移至该半导体芯片上，以在该次要图案区域上形成一相对应于该当层光栅对准记号的当层芯片对准记号。