| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，能够简化基板结构和制造工艺。该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：在基板上形成薄膜晶体管的栅极、与该栅极相连的栅极线，以及与栅极线相连的下栅极焊盘电极；在具有栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案，钝化膜图案的线宽窄于光刻胶图案的线宽；形成透明电极图案，所述透明电极图案从钝化膜图案的侧平面延伸并形成于不包括钝化膜图案的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1326201C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200410070531.4 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 柳洵城;赵兴烈 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成薄膜晶体管的栅极、与该栅极相连的栅极线，以及与栅极线相连的下栅极焊盘电极；在形成栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上，形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案，该钝化膜图案的线宽比光刻胶图案的线宽窄；形成一从钝化膜图案侧表面延伸且位于没有钝化膜图案的区域的透明电极图案。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||