一种低维钼氧化物青铜单晶的制备方法

摘要

本发明公开了一种低维电荷密度波导体钼氧化物青铜系列单晶样品的制备方法，将碱金属碳酸盐或Tl₂CO₃与MoO₃按1∶3.1－6.15的摩尔比例混合，研磨均匀后，加热使混合物熔化，保温2－3小时，然后将炉温降至混合物熔点以上5－10℃，并保持完全熔化状态，开始通电解电流，电流控制在20－60mA，电解温度为570－610℃；电解2－2.5小时将电极提出，取下结在阴极上的晶体，即得到具有金属光泽的钼氧化物青铜单晶。该方法的突出特点是：主要原料来源丰富，价格低廉，克服了国际上常用原料A₂MoO₄国内来源困难的不足；设备简单，操作容易；晶体制备成功率高，生长周期短；生长得到的钼氧化物青铜单晶不仅尺寸大，而且质量高。

主权项

1.一种低维钼氧化物青铜单晶的制备方法，其特征是：将碱金属碳酸盐或Tl2CO3与MoO3 按1∶3.1-6.15的摩尔比例混合，研磨均匀后，加热使混合物熔化，保温2-3小时，然后将炉温降至混合物熔点以上5-10℃，并保持完全熔化状态，开始通电解电流，电流控制在20-60mA，电解温度为570-610℃；电解2-2.5小时将电极提出，取下结在阴极上的晶体，即得到具有金属光泽的钼氧化物青铜单晶。