半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成一栅堆叠物于一基底上，栅堆叠物具有一侧壁；形成一ONO堆叠物于栅堆叠物上与侧壁旁；蚀刻ONO堆叠物以形成一ONO储存结构，ONO储存结构具有大体L型的剖面；形成一逻辑氧化间隔物于栅堆叠物与ONO储存结构上，使ONO储存结构中的一氮化物部分为ONO储存结构内的一氧化物与逻辑氧化间隔物的氧化物所围绕；形成一氮化物间隔物材料于栅堆叠物、ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上；蚀刻氮化物间隔材料，以形成邻近栅堆叠物与位于至少部分的ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上的一氮化物间隔物；于基底内形成邻近氮化物间隔物的一源极/漏极。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：形成一栅堆叠物于一基底上，该栅堆叠物具有一侧壁；形成一氧化物-氮化物-氧化物堆叠物于该栅堆叠物上与该侧壁旁；蚀刻该氧化物-氮化物-氧化物堆叠物以形成一氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构，该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构具有大体L型的剖面且具有沿着该栅堆叠物侧壁设置的一垂直部以及沿该基底设置的一水平部；形成一逻辑氧化间隔物于该栅堆叠物以及该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构上，使得该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构中的一氮化物部分为该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构内的一氧化物与该逻辑氧化间隔物的氧化物所围绕；形成一氮化物间隔物材料于该栅堆叠物、该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构与该逻辑氧化间隔物上；蚀刻该氮化物间隔材料，以形成邻近该栅堆叠物与位于至少部分的该氧化物-氮化物-氧化物储存薄膜结构与该逻辑氧化间隔物上的一氮化物间隔物；以及形成一源极/漏极于该基底内且直接地相邻于该氮化物间隔物。