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发明名称 Methode, einheitliche Silizidbereiche herzustellen
摘要
申请公布号 DE60032269(T2) 申请公布日期 2007.07.05
申请号 DE20006032269T 申请日期 2000.02.03
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MFG. PTE. LTD. 发明人 CHAN, LAP;SING HO, CHAW;SAM LI, FONG YAU;NG, HOU TEE
分类号 H01L21/285;C23C10/00;C23C26/00;C30B1/02;H01L21/28;H01L21/336 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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