发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
当用常规的脉冲激光照射半导体膜时,在半导体膜的表面上引起称作脊的不平坦。在顶栅型TFT的情况下,元件的特性根据脊而改变,具体地说,有在彼此电学并联的多个薄膜晶体管中存在变化的问题。根据本发明,在制造包括多个薄膜晶体管的电路时,增大通过用连续波激光照射半导体膜熔化的区域(不包括微晶区域)的宽度LP,并且在一个区域中设置多个薄膜晶体管(彼此并联电连接)的有源层。 |
申请公布号 |
CN1993816A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200580025836.6 |
申请日期 |
2005.07.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;田中幸一郎 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其中在具有绝缘表面的衬底上面形成有半导体薄膜,并且用连续波激光束照射以熔化并冷却该半导体薄膜使之再结晶,并且所述装置包括每个都使用半导体薄膜作为有源层的多个薄膜晶体管;其中所述多个薄膜晶体管并联电连接,并且其中WC和WS的总和小于连续波激光束的宽度LP,其中WC是多个薄膜晶体管中沟道形成区宽度的和,而WS是沟道形成区间的间隔的和。 |
地址 |
日本神奈川 |