发明名称 | 薄膜器件及其制造方法 | ||
摘要 | 薄膜器件具备基板、配置在基板上的由绝缘材料构成的平坦化膜、以及设置在平坦化膜上的电容器。电容器具有下部导体层、配置在下部导体层上的电介质膜、以及配置在电介质膜上的上部导体层。下部导体层具有电极膜、用电镀法在电极膜上形成的第1层、以及用PVD法或CVD法在第1层上形成的第2层。第2层中的金属晶体的粒径小于第1层中的金属晶体的粒径。 | ||
申请公布号 | CN1992108A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
申请号 | CN200610156256.7 | 申请日期 | 2006.12.27 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 |
分类号 | H01G4/33(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
主权项 | 1.一种薄膜器件,其具备下部导体层、配置在上述下部导体层上的电介质膜、以及配置在上述电介质膜上的上部导体层,其特征在于,上述下部导体层具有由金属构成的第1层和配置在上述第1层与上述电介质膜之间的由金属构成的第2层,上述第2层中的金属晶体的粒径小于上述第1层中的金属晶体的粒径。 | ||
地址 | 日本东京 |