液晶显示器的制造方法

摘要

一种制造液晶显示器的方法：首先，依序形成一无掺杂硅层、n型硅层及一金属层于基板上；图案化以定义n型TFT及像素TFT的源极/漏极及储存电容底部电极；全面形成一栅极氧化层及一栅极金属层；图案化以形成n型TFT的栅极、p型TFT的栅极、电源电极及像素TFT的栅极及像素储存电容，其中栅极的位置与其已形成的源极/漏极距离不对称，以抑制漏电流；再形成裸露该p型TFT的预定区的一光阻图案，再施以p型杂质布植以形成p型TFT的源极/漏极。在移除光阻图案后，先施以退火制程以活化杂质，再形成一感光树脂护层于所有表面；再经图案化形成接触洞，再形成ITO层，随之图案化以形成连接透明连接导线及像素电容的顶部电极。

主权项

权利要求书1、一种制造液晶显示器的像素薄膜晶体管及于驱动电路区同时形成第一导电型薄膜晶体管及第二导电型薄膜晶体管的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤：由下而上依序形成一无掺杂硅层、第一导电型硅层及一金属层于一基板上；图案化该金属层及该第一导电型硅层，用以定义该第一导电型薄膜晶体管的源极/漏极、该像素薄膜晶体管的源极/漏极及像素储存电容底部电极；全面形成一栅极氧化层及一栅极金属层于图案化该金属层及该第一导电型硅层之后的表面上；图案化该栅极氧化层及该栅极金属层，用以在驱动电路区形成该第一导电型薄膜晶体管的栅极、该第二导电型薄膜晶体管的栅极，及电源电极，并同时于像素区形成该像素薄膜晶体管的栅极，并形成该像素储存电容，其中所述的第一导电型薄膜晶体管的栅极与其源极距离小于栅极与其漏极的距离、该像素薄膜晶体管的栅极与其源极距离小于栅极与其漏极的距离，用以抑制漏电流；形成一第一光阻图案于图案化该栅极氧化层及该栅极金属层之后的表面，该第一光阻图案裸露该第二导电型薄膜晶体管的预定区；植入第二导电型杂质，以该第一光阻图案及该第二导电型薄膜晶体管的栅极为掩模，以使得该第二导电型薄膜晶体管的源极/漏极仅含有第二导电型杂质；移除该第一光阻图案；全面形成一护层于该像素区及该驱动电路区表面；图案化该护层，用以形成接触洞，该接触洞是用以分别裸露该电源电极、该第一导电型薄膜晶体管的源极/漏极、该第二导电型薄膜晶体管的源极/漏极、该像素薄膜晶体管的源极/漏极及该像素存储电容的顶部电极；形成一透明导体氧化层于所有区域，除填满所述接触洞，并形成于该护层上；图案化该护层上的透明导体氧化层，用以进行该第一导电型薄膜晶体管、第二导电型薄膜晶体管、该像素薄膜晶体管、及该像素储存电容的连接。