| 发明名称 | 对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质 | ||
| 摘要 | 可以利用具有不同栅电介质的NMOS和PMOS晶体管形成互补金属氧化物半导体集成电路。例如，可通过减法工艺形成不同的栅电介质。作为几个实例，这些栅电介质可以在材料、厚度、或者形成技术方面是不同的。 | ||
| 申请公布号 | CN1993824A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200580025620.X | 申请日期 | 2005.07.15 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·梅茨;S·达塔;J·卡瓦利罗斯;M·多茨;J·布拉斯克;R·曹 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在衬底上限定NMOS和PMOS晶体管区域；在NMOS或PMOS区域中的一个上方形成掩模；在衬底上和掩模上方形成第一栅电介质，以形成第一导电类型的晶体管；掩蔽所述第一栅电介质；以及形成第二栅电介质，以形成第二导电类型的晶体管。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||