具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法

摘要

一种具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构，此结构是由基底、氮化硅只读存储器存储单元、N⁺掺杂区、N⁺保护环与多晶硅保护环构成。氮化硅只读存储器存储单元位于基底上。N⁺掺杂区位于基底中，且N⁺掺杂区与氮化硅只读存储器存储单元的一字符线电接触。N⁺保护环位于环绕N⁺掺杂区的基底中。多晶硅保护环位于N⁺掺杂区与N⁺保护环之间的基底上。

主权项

权利要求书1.一种具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构，其特征为：该结构包括：一基底，该基底上具有一氮化硅只读存储器存储单元；一N+掺杂区，该N+掺杂区位于该基底中，且该N+掺杂区与该氮化硅只读存储器存储单元的一字符线电接触；一第一N+保护环，该第一N+保护环位于环绕该N+掺杂区的该基底中；以及一多晶硅保护环，该多晶硅保护环位于该N+掺杂区与该第一N+保护环之间的该基底上。