| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是通过使形成集成电路的图案实现微小化，来提供可以缩小芯片面积的半导体装置的制造方法。例如，本发明的目的是缩小由薄膜晶体管形成的用于IC卡或IC标签的IC芯片。本发明的制造方法包括以下步骤：形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成开口部分。通过使用相移掩模或者全息掩模的曝光工艺，以进行形成栅电极的步骤和在绝缘层中形成开口部分的步骤的一方或双方。因此，即使是玻璃衬底那样平坦度欠佳的衬底，也可以形成微小的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN1992175A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172809.8 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大沼英人 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成开口部分，其中，通过使用相移掩模的曝光工艺进行形成所述栅电极的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||