| 发明名称 | 在图像传感器中形成金属互连的方法 | ||
| 摘要 | 一种在图像传感器中形成金属互连的方法，所述方法包括在衬底上形成具有接触塞的第一层间介电(ILD)层、在第一ILD层上形成扩散阻挡层、进行混合气体退火、在扩散阻挡层上形成第二ILD层、蚀刻第二ILD层和扩散阻挡层来形成沟槽、形成导电层来填充所述沟槽以及使导电层平坦化来形成用电连接接触塞的金属互连。 | ||
| 申请公布号 | CN1992199A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610168217.9 | 申请日期 | 2006.12.26 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 崔璟根 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种在图像传感器中形成金属互连的方法，所述方法包括：在衬底上形成具有接触塞的第一层间介电(ILD)层；在第一ILD层上形成扩散阻挡层；进行混合气体退火；在扩散阻挡层上形成第二ILD层；蚀刻第二ILD层和扩散阻挡层来形成沟槽；将导电层填充到沟槽中；和使导电层平坦化以形成电连接到接触塞的金属互连。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||