| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成第一抗反射层和第一光致抗蚀剂膜；形成第一图像层；形成第二抗反射层和第二光致抗蚀剂膜；形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上并将第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成开口；形成金属层；形成金属图形以填充开口；并除去第二图像层、第二抗反射层、第一图像层和第一抗反射层。 | ||
| 申请公布号 | CN1324652C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200410079417.8 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 黄成辅 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王昭林 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：依序在硅衬底上形成不包含光敏材料的第一抗反射层和包含硅和光敏材料的第一光致抗蚀剂膜；曝光并湿蚀刻第一光致抗蚀剂膜，由此形成具有预定形状的第一图像层；依序在包括第一图像层的衬底的整个表面上形成不包含光敏材料的第二抗反射层和包含硅和光敏材料的第二光致抗蚀剂膜；曝光并湿蚀刻第二光致抗蚀剂膜，由此形成开口宽于第一图像层的第二图像层；为了将第二图像层的图形转移到第二抗反射层上，并将通过第二抗反射层暴露的第一图像层的图形转移到第一抗反射层上，向生成的结构提供氧等离子体，由此形成开口；在包括开口的衬底的整个表面上形成金属层；对金属层进行化学机械抛光工艺，由此形成金属图形以填充开口；和用极性有机溶剂除去第二图像层、第二抗反射层、第一图像层和第一抗反射层。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||