| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体集成电路装置。目的在于：能够防止浪涌电压对内部电路的破坏，同时，在不受浪涌保护电路中耐压偏差的影响的情况下，保护提高半导体集成电路装置的特性的电容元件不被浪涌电压破坏。半导体集成电路装置，具有内部电路(1)、浪涌保护电路(6A)、电容元件(7)、金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)和控制电路(10)，该内部电路(1)连接在第一外部端子(2)、高电位电源端子(3)及低电位电源端子(4)的每一个上，该浪涌保护电路(6A)连接在第一外部端子(2)与低电位电源端子(4)之间，保护内部电路(1)不受施加在第一外部端子(2)上的浪涌电压的影响，该电容元件(7)的一端子与第一外部端子(2)连接，该金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)连接在该电容元件(7)的另一端子与低电位电源端子(4)之间，该控制电路(10)在浪涌电压施加在第一外部端子(2)上时，使内部电路(1)为停止状态，且不使金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)活性化。 | ||
| 申请公布号 | CN1992266A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610164224.1 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 真壁良和;山本睦 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体集成电路装置，其特征在于：包括：内部电路，连接在外部端子、高电位电源端子及低电位电源端子的每一个上；浪涌保护电路，连接在上述外部端子与上述低电位电源端子之间，保护上述内部电路不受施加在上述外部端子上的浪涌电压的影响；电容元件，一端子与上述外部端子连接；晶体管，连接在上述电容元件的另一端子和上述低电位电源端子之间；以及控制电路，当上述浪涌电压被施加在上述外部端子上时，使上述内部电路为停止状态，且不使上述晶体管活性化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||