| 发明名称 | 氧化物烧结体及其制造方法,以及溅射靶及透明导电膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1990422A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610142572.9 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 森中泰三;尾野直纪 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01);C04B38/00(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C04B35/453(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.氧化物烧结体，其特征在于，其是含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||