发明名称 |
非易失性半导体存储器件 |
摘要 |
一种非易失性半导体存储器件,包括三维单元阵列以减小芯片尺寸。单元阵列,每个都具有排列在行及列方向上的单位单元,包括多层单位块单元阵列。基于单元阵列的放置方向,单位组单元阵列包括以给定群组排列在方向X、Y和Z上的单位块单元阵列。多个单位组单元阵列配置成分别执行读取/写入操作。 |
申请公布号 |
CN1992077A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200610170466.1 |
申请日期 |
2006.12.29 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
姜熙福 |
分类号 |
G11C11/22(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/22(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨生平;杨红梅 |
主权项 |
1.一种非易失性半导体存储器件,包括:多个单位组单元阵列,所述单位组单元阵列具有多个单位块单元阵列,所述单位块单元阵列包括多个单元阵列层,所述单元阵列层具有排列在行和列方向上的多个单位单元,其中,所述单位块单元阵列基于其各个单元阵列层的放置方向而排列在方向X,Y和Z上,且所述单位单元配置成分别执行读取/写入操作。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |