| 发明名称 | 形成用于离子注入的掩模图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；在所得的结构上形成光致抗蚀剂层；及图案化所述光致抗蚀剂层，以获得所述栅极线图案上的一个光致抗蚀剂图案，其中，所述涂布膜的界面张力低于所述光致抗蚀剂层的界面张力。一个用于离子注入的掩模图案能够使用根据本发明的方法获得，使得后续的离子注入工艺稳定地实施，以改进半导体元件的最终产量。 | ||
| 申请公布号 | CN1992170A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610080309.1 | 申请日期 | 2006.05.09 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金珪圣 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L29/772(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；在所得的结构上形成光致抗蚀剂层；及图案化所述光致抗蚀剂层，以获得所述栅极线图案上的一个光致抗蚀剂图案，其中，所述涂布膜的界面张力低于所述光致抗蚀剂层的界面张力。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||