发明名称 |
形成沟槽的方法 |
摘要 |
提供一种形成沟槽的方法,能够圆化顶角而不需要增加单独的掩模和工艺。在该方法中,在具有隔离区和有源区的衬底上依次堆叠第一和第二隔离层。随后,在该第二隔离层上形成光致抗蚀剂图案,并且利用该光致抗蚀剂图案作为掩模,依次将该第二衬垫隔离层和该第一衬垫隔离层图案化,以暴露隔离区中的一部分衬底。之后,利用所述第一和第二衬垫隔离层作为掩模,蚀刻该衬底,以形成STI区,使得STI区的上部宽度大于STI区的下部宽度。 |
申请公布号 |
CN1992193A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200610170195.X |
申请日期 |
2006.12.25 |
申请人 |
东部电子股份有限公司 |
发明人 |
崔基峻 |
分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/308(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1.一种形成沟槽的方法,该方法包括:在具有隔离区和有源区的衬底上依次堆叠第一隔离层和第二隔离层;在所述第二隔离层上形成光致抗蚀剂图案;利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模,依次将所述第二衬垫隔离层和所述第一衬垫隔离层图案化,以暴露出所述隔离区中的一部分所述衬底;以及利用所述第一和第二衬垫隔离层作为掩模,蚀刻所述衬底,以形成沟槽,使得所述沟槽的上部宽度大于所述沟槽的下部宽度。 |
地址 |
韩国首尔 |