| 主权项 |
1.一种记忆体装置,包含: 一相变记忆体元件; 一串联之第一选择装置;以及 一串联之第二选择装置,具有较该第一选择装置更 高电阻与更大临界电压。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一选择装 置之维持电压与临界电压实质上相等。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一选择装 置之突返(snapback)电压小于0.25伏特。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二选择装 置具有较该第一选择装置更高之致动能量。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该元件与该等 选择装置系配置成一垂直堆叠。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该等选择装置 与该元件包括一种硫族化合物。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该第二选择装 置较该第一选择装置具有较大之突返电压。 8.如申请专利范围第6项之装置,其中该等第一与第 二选择装置中之该硫族化合物为不可规划材料。 9.一种形成记忆体之方法,包含以下步骤: 将一第一选择装置与一第二选择装置和一相变记 忆体元件串联耦接,以使得该第一选择装置较该第 二选择装置具有较高电阻与较大临界电压。 10.如申请专利范围第9项之方法,更包括耦接具有 资质上相等之一维持电压与一临界电压的一第二 选择装置。 11.如申请专利范围第9项之方法,更包括耦接具有 小于0.25伏特之突返电压的一第一选择装置。 12.如申请专利范围第9项之方法,更包括使用具有 较该第二选择装置更高之致动能量的一第一选择 装置。 13.如申请专利范围第9项之方法,更包括将该记忆 体元件、该第一选择装置与该第一选择装置堆叠 成一垂直堆叠。 14.如申请专利范围第13项之方法,更包括以硫族化 合物形成该等选择装置。 15.如申请专利范围第14项之方法,更包括对该第一 选择装置提供较该第二选择装置为大之突返作用 。 16.如申请专利范围第15项之方法,更包括在该等第 一与第二选择装置中使用不可规划之硫族化合物 。 17.如申请专利范围第9项之方法,更包括使用该第 二选择装置以减少由该第一选择装置所提供之突 返作用。 18.如申请专利范围第17项之方法,更包括使用该第 一选择装置以减少该等串联之选择装置与记忆体 元件之泄漏。 19.一种无线资讯处理系统,包含: 一处理器; 耦接至该处理器之一无线介面;以及 耦接至该处理器之一记忆体,该记忆体包括: 一相变记忆体元件; 一串联之第一选择装置; 一串联之第二选择装置,其具有较该第一选择装置 更高之电阻与最大的临界电压。 20.如申请专利范围第19项之系统,其中该第一选择 装置之维持电压与临界电压实质上相等。 21.如申请专利范围第19项之系统,其中该第一选择 装置之突返电压小于0.25伏特。 22.如申请专利范围第19项之系统,其中该第二选择 装置具有较该第一选择装置更高之致动能量。 23.如申请专利范围第19项之系统,其中该元件与该 等选择装置系配置成一垂直堆叠。 24.如申请专利范围第23项之系统,其中该等选择装 置与该元件包括一种硫族化合物。 25.如申请专利范围第24项之系统,其中该第二选择 装置较该第一选择装置具有较大之突返电压。 26.如申请专利范围第24项之系统,其中该等第一与 第二选择装置中之该硫族化合物为不可规划材料 。 图式简单说明: 第1图为概要图其说明根据本发明实施例之记忆体 ; 第2图说明存取装置之电流一电压特征; 第3图说明组合式存取装置之电流-电压特征; 第4图为横截面图其说明根据本发明实施例之第1 图中记忆体之一部份;以及 第5图为方块图说明根据本发明实施例之系统之一 部份。 |
