| 主权项 |
1.一种制备掺杂之五矽型沸石之方法,此方法包括 下列步骤: (a)制备包括矽源、铝源、掺杂之八面沸石晶种及 包含五矽型晶种之另外型式的晶种物质之含水前 驱体混合物,及 (b)热处理该前驱体混合物而形成掺杂之五矽型沸 石。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂之五矽 型沸石是掺杂之ZSM-5。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中其他型式 的晶种物质是含有有机导向模板之溶胶或凝胶。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中将八面沸 石晶种系选自由下列各元素组成之群Ce、La、Mn、 Fe、Ti、Zr、Cu、Ni、Zn、Mo、W、V、Sn、Pt、Pd、Ga、B 和P之一种掺杂剂掺杂。 5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中矽源系选 自下列各物组成之群:矽酸钠、偏矽酸钠、稳定化 之矽溶胶、矽凝胶、聚矽酸、四乙基正矽酸盐、 薰矽石、沉淀矽石及其混合物。 6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中铝源系选 自下列各化合物组成之群:Al2(SO4)3、AlCl3、AlPO4、Al 2(HPO4)3和Al(H2PO4)3、氢氧化铝(Al(OH)3)、热处理之氢 氧化铝、(假)水铝土、氯二聚水分子铝、硝基二 聚水分子铝及其混合物。 7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中步骤b)在150 至180℃范围内之温度下予以实施。 8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中将步骤b)实 施历3至8小时。 9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中成形步骤 系在步骤a)与b)间予以实施。 |
