| 主权项 |
1.一种半导体记忆体之电容器结构的制备方法,包 含下列步骤: 形成一开口于一介电结构中; 形成一柱状电容器于该开口中,包含: 形成一第一导电层于该开口之内壁; 形成一第一介电层于该第一导电层表面;及 形成一第二导电层于该第一介电层表面; 电气隔离该第一导电层与该第二导电层;以及 形成一电气连接该第二导电层之上端的第三导电 层。 2.根据请求项1之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中该柱状电容器系一填满该开口之实心 圆柱体。 3.根据请求项1之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中电气隔离该第一导电层与该第二导电 层包含局部去除该第一导电层之上部,使得该第一 导电层之上端低于该第二导电层之上端。 4.根据请求项3之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中该第一导电层及该第二导电层系由不 同材料构成,而局部去除该第一导电层之上部系进 行一蚀刻制程,其蚀刻该第一导电层之速率大于蚀 刻该第二导电层之速率。 5.根据请求项3之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中在局部去除该第一导电层之上部后, 另包含下列步骤: 去除该介电结构之一预定部分; 形成一第二介电层于该柱状电容器及该介电结构 表面; 局部去除该第二导电层上之第二介电层;以及 形成该第三导电层于该第二介电层及该第二导电 层上。 6.根据请求项5之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中该介电结构包含一氮化矽层及一设置 于该氮化矽层上之氧化矽层,而去除该介电结构之 一预定部分系使用一包含氢氟酸之蚀刻液去除该 氮化矽层上之氧化矽层。 7.根据请求项5之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介电 层系进行一乾蚀刻制程。 8.根据请求项5之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介电 层包含: 形成一旋涂式介电层,其覆盖该柱状电容器; 进行一平坦化制程以局部去除该柱状电容器上方 之旋涂式介电层及第二介电层;以及 进行一湿蚀刻制程以去除该旋涂式介电层。 9.根据请求项3之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中局部去除该第一导电层之上部包含: 去除该介电结构之一预定部分;以及 进行一乾蚀刻制程以局部去除该第一导电层之上 部而形成一间隙壁形貌于该柱状电容器之上部。 10.根据请求项9之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中该介电结构包含一氮化矽层及一设置 于该氮化矽层上之氧化矽层,而去除该介电结构之 一预定部分系使用一包含氢氟酸之蚀刻液去除该 氮化矽层上之氧化矽层。 11.根据请求项9之半导体记忆体之电容器结构的制 备方法,其中在形成一间隙壁形貌于该柱状电容器 之上部后,另包含: 形成一第二介电层于该柱状电容器及该介电结构 表面; 局部去除该第二导电层上之第二介电层;以及 形成该第三导电层于该第二导电层与该第二介电 层上。 12.根据请求项11之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层系进行一蚀刻制程。 13.根据请求项11之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层包含: 形成一旋涂式介电层,其覆盖该柱状电容器; 进行一平坦化制程以局部去除该柱状电容器上方 之旋涂式介电层及第二介电层;以及 进行一湿蚀刻制程以去除该旋涂式介电层。 14.一种半导体记忆体之电容器结构的制备方法,包 含下列步骤: 形成一开口于一介电结构中; 形成一柱状电容器于该开口中,包含: 形成一第一导电层于该开口之内壁; 形成一第一介电层于该第一导电层表面;及 形成一第二导电层于该第一介电层表面,并填满该 开口; 局部去除该第一导电层之上部,使得该第一导电层 之上端低于该第二导电层之上端; 去除该介电结构之一预定部分; 形成一第二介电层于该柱状电容器及该介电结构 表面; 局部去除该第二导电层上之第二介电层;以及 形成一第三导电层于该第二介电层及该第二导电 层上。 15.根据请求项14之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中该第一导电层及该第二导电层系由 不同材料构成,而局部去除该第一导电层之上部系 进行一蚀刻制程,其蚀刻该第一导电层之速率大于 蚀刻该第二导电层之速率。 16.根据请求项14之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层系进行一乾蚀刻制程。 17.根据请求项14之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层包含: 形成一第三介电层,覆盖该柱状电容器; 进行一平坦化制程以局部去除该柱状电容器上方 之第三介电层及第二介电层;以及 去除该第三介电层。 18.一种半导体记忆体之电容器结构的制备方法,包 含下列步骤: 形成一开口于一介电结构中; 形成一柱状电容器于该开口中,包含: 形成一第一导电层于该开口之内壁; 形成一第一介电层于该第一导电层表面;及 形成一第二导电层于该第一介电层表面,并填满该 开口; 去除该介电结构之一预定部分; 进行一乾蚀刻制程以局部去除该第一导电层之上 部而形成一间隙壁形貌于该柱状电容器之上部,其 中该第一导电层之上端低于该第二导电层之上端; 形成一第二介电层于该柱状电容器及该介电结构 表面; 局部去除该第二导电层上之第二介电层;以及 形成一第三导电层于该第二介电层及该第二导电 层上。 19.根据请求项18之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层系进行一乾蚀刻制程。 20.根据请求项18之半导体记忆体之电容器结构的 制备方法,其中局部去除该第二导电层上之第二介 电层包含: 形成一第三介电层,覆盖该柱状电容器; 进行一平坦化制程以局部去除该柱状电容器上方 之第三介电层及第二介电层;以及 去除该第三介电层。 图式简单说明: 图1及图2例示一习知之堆叠式电容器之制备方法; 图3(a)至图11例示本发明第一实施例之半导体记忆 体之电容器结构的制备方法;以及 图12至图15例示本发明第二实施例之半导体记忆体 之电容器结构的制备方法。 |
