发明名称 无凸块式晶片封装体及其制程
摘要 一种无凸块式晶片封装体,包括一支撑元件、一晶片、一填充金属层以及一内连线结构。支撑元件具有一支撑面及一凹陷。晶片配置于凹陷内,晶片具有多数个晶片接垫,其配置于晶片之一主动面上,且主动面朝上。此外,填充金属层填充于晶片与凹陷之间所构成的一空间。另外,内连线结构配置于晶片之主动面与支撑元件之支撑面的上方,内连线结构具有一内部线路与多数个接点接垫,且这些接点接垫配置于内连线结构之一接点面上,而这些晶片接垫之至少一与这些接点接垫之至少一是藉由内部线路而相电性连接。
申请公布号 TWI283462 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW094133509 申请日期 2005.09.27
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 何昆耀;宫振越
分类号 H01L23/02(2006.01);H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/02(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种无凸块式晶片封装体,包括: 一支撑元件,具有一支撑面及一凹陷; 一晶片,配置于该凹陷内,该晶片具有多数个晶片 接垫,其配置于该晶片之一主动面上,且该主动面 朝上; 一填充金属层,填充于该晶片与该凹陷之间所构成 的一空间;以及 一内连线结构,配置于该晶片之该主动面与该支撑 元件之该支撑面的上方,该内连线结构具有一内部 线路与多数个接点接垫,且该些接点接垫配置于该 内连线结构之一接点面上,而该些晶片接垫之至少 一与该些接点接垫之至少一是藉由该内部线路而 相电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,更包括一图案化金属层,配置于该晶片之该主 动面与该支撑元件之该支撑面上,并位于该内连线 结构之下,且暴露出各该晶片接垫之部分。 3.如申请专利范围第2项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该图案化金属层具有多数个开口与多数个 导电部,各该导电部对应配置于各该晶片接垫上且 对应位于各该开口内,而各该开口则对应位于各该 晶片接垫上以暴露出各该晶片接垫及各该导电部 。 4.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该内连线结构包括: 多数个介电层; 多数个导电孔道,分别贯穿该些介电层,其中该些 导电孔道之至少一与该些晶片接垫之至少一相电 性连接;以及 多数个线路层,与该些介电层为交错配置,且该些 线路层与该些导电孔道构成该内部线路,而两该些 线路层之间藉由该些导电孔道之至少一而相电性 连接。 5.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该支撑元件为散热元件。 6.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该支撑元件的材质为金属。 7.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,更包括一导热黏着层,配置于该晶片之相对于 该主动面的一背面与相对应之该凹陷的一底面之 间,且该晶片藉由该导热黏着层而黏着于该凹陷内 。 8.如申请专利范围第7项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该导热黏着层的材质为焊料、合金金属或 导热胶。 9.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,更包括多数个电性接点,分别配置于该些接点 接垫上。 10.如申请专利范围第9项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该些电性接点为导电球、导电针脚或导电 柱。 11.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,其中该晶片更具有一保护层,其配置于该主动 面上,并位于该内连线结构之下,且暴露出各该晶 片接垫。 12.如申请专利范围第1项所述之无凸块式晶片封装 体,更包括一焊罩层,其配置于该内连线结构之该 接点面上,且暴露出各该接点接垫。 13.一种无凸块式晶片封装体制程,包括: 提供一支撑元件,该支撑元件具有一支撑面及一凹 陷; 提供一晶片,该晶片具有多数个晶片接垫,其配置 于该晶片之一主动面上; 使该晶片配置于该凹陷内,以使得该主动面朝上; 形成一填充金属层于该晶片之至少一侧面与相对 应之该凹陷的至少一侧壁之间所构成的一空间;以 及 形成一内连线结构于该晶片之该主动面与该支撑 元件之该支撑面的上方,该内连线结构具有一内部 线路与多数个接点接垫,且该些接点接垫配置于该 内连线结构之一接点面上,而该些晶片接垫之至少 一与该些接点接垫之至少一是藉由该内部线路而 相电性连接。 14.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中在形成该内连线结构的步骤之前, 更包括形成一图案化金属层于该晶片之该主动面 与该支撑元件之该支撑面上,并暴露出各该晶片接 垫之部分。 15.如申请专利范围第14项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该图案化金属层具有多数个开口与 多数个导电部,各该导电部对应配置于各该晶片接 垫上且对应位于各该开口内,而各该开口则暴露出 对应之各该晶片接垫并用以与对应之各该导电部 作电气绝缘。 16.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中形成该内连线结构的步骤包括: 形成一介电层于该晶片与该支撑部上,且暴露出各 该晶片接垫; 形成至少一导电孔道,以贯穿该介电层,其中该导 电孔道与该些晶片接垫之一相电性连接;以及 形成一线路层与该些接点接垫于该介电层上,该导 电孔道电性连接该线路层或该些接点接垫之一,且 该导电孔道与该线路层构成该内部线路。 17.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中形成该内连线结构的步骤包括: 形成一第一介电层于该晶片与该支撑部上,且暴露 出各该晶片接垫; 形成至少一第一导电孔道,以贯穿该第一介电层, 其中该第一导电孔道与该些晶片接垫之一相电性 连接; 形成一第一线路层于该第一介电层上,以电性连接 该第一导电孔道; 形成一第二介电层于该第一线路层上; 形成至少一第二导电孔道,以贯穿该第二介电层, 其中该第二导电孔道与该第一线路层相电性连接; 以及 形成一第二线路层与该些接点接垫于该第二介电 层上,而该第二导电孔道电性连接该第二线路层或 该些接点接垫之一,且该第一导电孔道、该第一线 路层、该第二导电孔道与与该第二线路层构成该 内部线路。 18.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该支撑元件为散热元件。 19.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该支撑元件的材质为金属。 20.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该晶片之相对于该主动面的一背面 是藉由一导热黏着层而相对应黏着于该凹陷之一 底面上。 21.如申请专利范围第20项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该导热黏着层的材质为焊料、合金 金属或导热胶。 22.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,更包括分别于该些接点接垫上形成一电 性接点。 23.如申请专利范围第22项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该些电性接点为导电球、导电针脚 或导电柱。 24.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,其中该晶片更具有一保护层,其形成于 该主动面上,并位于该内连线结构之下,且暴露出 各该晶片接垫。 25.如申请专利范围第13项所述之无凸块式晶片封 装体制程,更包括形成一焊罩层于该内连线结构之 该接点面上,且暴露出各该接点接垫。 图式简单说明: 图1绘示习知之一种无凸块式晶片封装体的剖面示 意图。 图2A至图2D绘示本发明一实施例之无凸块式晶片封 装体制程的剖面示意图。 图3绘示图2C之开口与导电部的俯视示意图。 图4绘示本发明另一实施例之无凸块式晶片封装体 的剖面示意图。
地址 台北县新店市中正路535号8楼