发明名称 |
硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种单分散硫化铅半导体纳米颗粒的前驱体热解制备方法。该方法使用的前驱体制备过程简单,原料廉价低毒,并且前驱体分子仅通过简便的化学反应即可制得单分散油溶性硫化铅半导体纳米颗粒。本发明具有原料廉价易得、操作简便、成本低,产率高等特点,适合规模化的生产;制备出的半导体纳米颗粒粒径均匀,稳定性好,有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN1986910A |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
申请号 |
CN200510133955.5 |
申请日期 |
2005.12.20 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
王晓波;刘维民 |
分类号 |
C30B29/46(2006.01);C01G21/21(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/46(2006.01) |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
1、一种硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法,其特征在于该方法依次包括以下步骤:a、在二烷基二硫代磷酸盐的醇溶液中,搅拌下加入可溶性铅盐的水溶液,有白色固体产生反应3~5小时,过滤清洗,干燥得Pb盐前驱体;b、在140~220℃下,氮气保护下将前驱体或是直接加热或分散于有机溶剂中反应2~6小时,所得黑色固体即为硫化铅半导体纳米颗粒。 |
地址 |
730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |