粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法

摘要

本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体，在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体，将圆柱体横截面分割成两半，在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区，在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体，完成热沉的制作。结构包括：热沉基体1、通孔2和粗糙元胚体3。由于本发明引入了粗糙元技术加大通道内冷却水的湍流度，减小了水流热边界层的厚度，解决了大通道结构热阻高的缺点，提高了整体散热能力；本发明使整体结构简单、制备方便，避免了背景技术中为了减小热阻而采用微通道结构时的精密加工和焊接降低了制作成本和难度的问题。

主权项

1、粗糙元型半导体激光器有源热沉结构的制备方法，其制备步骤如下：A.首先选取高导热金属材料制作成尺寸为a×b×c的矩形热沉胚体；B.在步骤A中获得的矩形热沉胚体中加工出一直径为R的通孔形成热沉基体；C.选取金属材料加工成直径为R，长度为d的圆柱体，其中d＝a，并沿圆形横截面分割成两半；D.在步骤C中获得的半圆柱体的分割面上按所需尺寸加工出所需数量，所需形态的粗糙元区，制作出粗糙元胚体；E.将步骤D中获得的粗糙元胚体的圆弧型底部均匀涂上焊料嵌入步骤B中获得的热沉基体的通孔底部，然后加热让焊料融化使两者成为一个整体，从而完成粗糙元型半导体激光器有源热沉的制作。