发明名称 绝缘栅极场效应晶体管
摘要 一种场效应晶体管划分成多个单元(6),并包括连接到第一晶体管单元(8)的分离的第一栅线(20)和连接到第二晶体管单元(10)的分离的第二栅线(22)。驱动电路用于将所有单元(6)驱动于正常的饱和工作状态,但是仅将第二单元(10)驱动于线性工作状态以减少该线性工作状态下使用的单元的数目。
申请公布号 CN1989623A 申请公布日期 2007.06.27
申请号 CN200580024432.5 申请日期 2005.07.18
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 J·R·卡特
分类号 H01L29/423(2006.01) 主分类号 H01L29/423(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 康正德;魏军
主权项 1.一种场效应晶体管电路,包括:具有第一主表面的半导体衬底(2);布置成跨过该衬底的多个相同的晶体管单元(6),各个晶体管单元包括具有绝缘栅极(32)、源极(34)和漏极(36)的FET(30);其中该单元(6)划分成第一和第二单元(8,10),第一单元多于第二单元;连接到该第一单元的第一栅线(20)与连接到该第二单元的分离的第二栅线(40);以及用于与该第一栅线(58)分离地驱动该第二栅线(40)的装置,用于仅导通该第二单元使其处于线性工作状态而不导通该第一单元。
地址 荷兰艾恩德霍芬
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